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場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

聯(lián)系人: 林先生
手機(jī): 13771787343
電話: 0512-87775859
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地址: 蘇州工業(yè)園區(qū)星漢街5號(hào)B幢#05-02
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產(chǎn)品介紹

場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

型號(hào):Quanta 400 FEG

廠家:美國(guó)FEI

主要用途1.可在高真空、低真空(130Pa)、環(huán)境真空(4000Pa)下觀察導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,對(duì)材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進(jìn)行分析,廣泛應(yīng)用于金屬材料、高分子材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等領(lǐng)域;
2.配備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷,可進(jìn)行快速的點(diǎn)、線、面分布分析,獲得能譜的mapping圖譜;
3.其樣品室直徑達(dá)284 mm,對(duì)于直徑達(dá)四英寸硅片可以直接進(jìn)行測(cè)試,無需對(duì)樣品進(jìn)行分割處理;
4.附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測(cè)量材料微區(qū)在電子束激發(fā)下的發(fā)光光譜,而且可以進(jìn)行成像 顯示,從而可以對(duì)樣品的禁帶寬度、雜質(zhì)缺陷等進(jìn)行表征,獲取更為豐富的信息;
5.可以測(cè)量材料的電子束感生電流(EBIC),從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷等信息,與陰極熒光測(cè)量互為補(bǔ)充。
主要配置1. MonoCL3+陰極熒光譜儀,波長(zhǎng)范圍160-930nm2.電子束感生電流(EBIC)
3.STEM探測(cè)器4.Apollo 40 SDD能譜儀
5.液氮冷臺(tái),溫度范圍為-185℃- +200℃6.液氦冷臺(tái),溫度范圍為6K-300K
性能指標(biāo)1.肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍2.加速電壓:200V-30 kV
3.放大倍數(shù):12-2,000,0004.分辨率
高真空- 0.8nm at 30kV (STEM)- 1.2nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)- 3.0nm at 1kV (SE)
低真空- 1.5nm at 30kV (SE)- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 3kV (SE)
環(huán)境真空- 1.5nm at 30kV (SE)
樣品室284mm,5軸馬達(dá)臺(tái)
EDS分辨率優(yōu)于136 eV,可分析包括B5以上的所有元素


服務(wù)熱線

蘇州工業(yè)園區(qū)浩高電子科技有限公司

0512-87775859

地址:蘇州工業(yè)園區(qū)星漢街5號(hào)B幢#05-02

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